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저널정보

저자정보

  • Min Woo Ryu (Ulsan National Institute of Science and Technology)
  • Sung-Ho Kim (Ulsan National Institute of Science and Technology)
  • Kyung Rok Kim (Ulsan National Institute of Science and Technology)
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We investigate the enhanced effects of asymmetry ratio variations of the source and drain area in silicon (Si) field-effect transistor (FET). Photoresponse according to the variation of asymmetry difference between the width of source and drain are obtained by using the plasmonic terahertz (THz) wave detector simulation based on technology computer-aided design (TCAD) with the quasi-plasma 2DEG model. The simulation results demonstrate the potential of Si FETs with asymmetric source and drain structures as the promising plasmonic THz detectors.
#Asymmetry #photoresponse #terahertzwave detector #quasi-plasma 2DEG #TCAD simulation

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. MODELING OF PLASMONIC THZ DETECTOR
III. SIMULATION RESUTLS AND DISCUSSION
IV. CONCLUSIONS
REFERENCES

참고문헌 (12)

참고문헌 신청
1. [단행본] - P. de Maagt / 2005 / Encyclopedia of RF and Microwave Engineering / Wiley : 5175 ~ google schola 2. [학술지(정기간행물)] - D. L. Woolard / 2007 / Terahertz Science and Technology for Military and Security Applications / Singapore: World Scientific 46 : 59 ~ google schola 3. [학술지(정기간행물)] - A. Markelz / 2008 / / IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron 14 : 180 ~ google schola 4. [단행본] - D. Mittleman / 2004 / Sensing With Terahertz Radiation / Springer Verlag google schola 5. [학술지(정기간행물)] - M. Dyakonov / 1993 / / Phys. Rev. Lett 71 : 2465 ~ google schola

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